1.由非反相放大器电路施加到两个输入端的电压几乎相等。
2.反相放大器电路的重要特征是“虚地”的概念
3.PN结有一个很好的数学模型：开关模型，二极管诞生了，然后一个PN结，三极管诞生了。
4.在高频电路中，必须考虑PN结电容的影响。
5.点接触二极管适用于整流，面接触二极管适用于高频电路。
6.硅管正向导通压降为0.7V，锗管为0.2V
7.齐纳二极管工作在反向击穿状态。
8.肖特基二极管适用于高频开关电路，正向压降和反向压降低，但反向击穿电压低，漏电流大。
9.光电二极管
10.二极管主要参数：最大整流电流、最大反向电压和漏电流。
11、三极管有发射极(当然浓度高)，集电极，基极。箭头写在发射器上。当然，发射的东西需要箭！
12.发射极正向偏置和集电极反向偏置是BJT放大工作的先决条件。共基极、共发射极、共集电极三种连接方式。区分三种配置的方法：共发射极、基极输入和集电极输出；集电极，由基极输入，由发射极输出；共基极，发射极输入，集电极输出。
13.三极管主要参数：电流放大系数，电极间反向电流，
14.三极管的数学模型：单晶体管电流放大
15.发射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响。
16.三种BJT放大电路的比较：共发射极放大电路，既能放大电流又能放大电压。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级和输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好。
17.去耦电容：输出信号电容接地，滤除信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤除信号的高频杂波。交流信号被视为这两个电容的短路。
18.BJT是电流控制电流器件，场效应管是中压控制电流器件。
19.主流是发射极到集电极的IC，偏置电流是发射极到基极的Ib。相对于主电路，给基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20.fet的三个铝电极：栅极g、源极s和漏极D.分别对应三极管的基极B、发射极E和集电极C。源极需要发射一些东西，所以对应发射极E，栅极的英文名是gate，像栅极一样存在，和基极的作用一样，其中P型衬底一般和栅极g相连。
21.增强型FET必须依靠栅源电压Vgs工作，而耗尽型FET不需要栅源电压。在正Vds的作用下，大漏电流流向源极。
22.n沟道MOS晶体管需要正Vds和正Vt，而p沟道MOS晶体管需要负Vds和负Vt。
23.MOSFET的主要参数：导通电压Vt和夹断电压Vp。参数：最大漏极电流Idm、最大耗散功率Pdm
24.三种MOSFET放大电路：共源放大电路，共漏放大电路，共栅放大电路。
25.差分放大器电路：差模信号：两个输入信号之差。共模信号：两个输入信号之和除以2。因此，用差模和共模的定义来表示两个输入信号，可以得到一个重要的数学模型：任意输入信号=共模信号加或减差模信号/2。
26.差分放大器电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这一特性，可以很好地抑制温度等外界因素对电路性能的影响。具体性能指标：共模抑制比Kcmr
27.集成运算放大器的温度漂移是漂移的主要来源。
28.集成运算放大器的参数：最大输出电流和最大输出电压。
29.VCC是电路的电源电压，VDD是芯片的工作电压。
30.放大电路的干扰：1。使电源远离放大器电路2。屏蔽输入sta
3.串联反馈和并联反馈的判定方法：反馈信号和输入信号的求和法，如果是电压，就是串联反馈，如果是电流，就是并联反馈。
34.功放电路类型：甲类、乙类、乙类。
35.RC振荡电路适用于低频，LC振荡电路适用于高频。
36.电压比较器，延时比较器，集成电压比较器，方波产生电路，锯齿波产生电路。
37.DC稳压电源：电源变压器整流电路滤波电路稳压电路。
38.滤波电路：利用电抗元件的储能功能，可以起到很好的滤波作用。而电感和电容都可以起到平波的作用。
39.开关稳压电源和线性电源：线性电源，效率低，产热强，但输出稳定。开关电源效率高，发热一般，输出纹波大，需要平波。
40.开关电源有降压和升压两种。在降压模式下，有续流二极管和LC滤波电路。升压器里有电感，齐纳二极管，电容。
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